研究用高純度シリコンウェハー 6×N型　1枚入 1枚

サイズ（インチ）×伝導型：6×N型 OF長さ（mm）×ウェハー厚(μm）：47.5±2.5×625±25 製造方法：CZ法 面方位：100 OF位置：110 抵抗値：0.1～100Ω・cm パーティクル：パーティクル不問 入数：1枚 特注対応品について ①方位（切断角度）、OF位置角度公差、厚み公差を、より小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。 ②多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざくり加工品、穴あけ加工品、酸化膜付きウェハー）。 ③ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。 ④8インチ、12インチに関しては随時お問い合わせください（最低単位25枚）。 ※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。 RoHS2 (EU)2015/863 対応　[RoHSについて]